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CJ78M05长电线性稳压器 TO-252
输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：35V 输出电压：5V 压差：2V@(350mA) 输出电流：500mA TO-252
CJ431长电电压基准芯片
输出类型：可调式 输出电压：2.5V~36V 输出电流：100mA 精度：±0.5% 温度系数：50ppm/℃ 最小阴极电流调节：1mA 工作温度：-25℃~+85℃@(TA) 注意：这个IC的引脚顺序跟TI公司的TL431芯片是不同的！
S9013 J3长电贴片三极管
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益
SS8550 Y2长电贴片三极管
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz
B5819W SL长电肖特基二极管
直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：600mV@1A 40V,1A,VF=0.6V@1A
MMBT5551长电H档贴片三极管
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：200mV@50mA,5mA 直流电流增益
1N4148W长电贴片开关二极管
二极管配置：独立式 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1μA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) T4
2N7002长电MOS管场效应管
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
MMBT3904长电贴片三极管
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益
1N4148WS长电开关二极管
极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1μA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) T4
SS8050贴片三极管长电 长晶
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA 直流电流增益
CS7N65FA9R 华晶
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.4Ω@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道 650V 7A
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