2N7002长电MOS管场效应管
2N7002长电MOS管场效应管
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
价格：
￥0.00
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 功率(Pd) | 200mW | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@10V,500mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250μA |
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