CS4N65A3HD 集成电路场效应管MOS管 华晶微
CS4N65A3HD 集成电路场效应管MOS管 华晶微
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道 650V 4A
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公司名称：东莞市意中半导体有限公司
联系人：梁先生
手机：13071381001
公司传真：0769-23191256
Emial:xcit19@stchina.hk
官网：http://www.stchina.hk/
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CS7N65FA9R 华晶
