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二三极管
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2N7002长电MOS管场效应管
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
MMBT3904长电贴片三极管
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益
1N4148WS长电开关二极管
极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1μA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) T4
SS8050贴片三极管长电 长晶
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA 直流电流增益
BZT52B6V8BS-TP MCC美微科
封装： SOD-323
描述：稳压值(标称值)：6.8V 稳压值(范围)：6.66V~6.94V 精度：±2% 功率：400mW 反向电流(Ir)：2μA@4V 阻抗(Zzt)：15Ω
BZT52B4V7JS-TP MCC美微科
封装： SOD-323
描述：稳压值(标称值)：4.7V 稳压值(范围)：4.61V~4.79V 精度：±2% 功率：200mW 反向电流(Ir)：2.7μA@2V 阻抗(Zzt)：75Ω
1N5345B-TP MCC美微科
封装： DO-15
描述：二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：8.7V 精度：±5% 功率：5W 反向电流(Ir)：10μA@6.6V 阻抗(Zzt)：2Ω
AZ23C13W-TP MCC美微科
封装： SOT-323
描述：二极管配置：1对共阳极 稳压值(范围)：12.4V~14.1V 功率：200mW 反向电流(Ir)：100nA@10V 阻抗(Zzt)：25Ω
AZ23C2V7-TP MCC美微科
封装： SOT-23
描述：二极管配置：1对共阳极 稳压值(范围)：2.5V~2.9V 功率：300mW 阻抗(Zzt)：83Ω
BZX84C16-TP MCC美微科
封装： SOT-23-3
描述：二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：16V 稳压值(范围)：15.3V~17.1V 功率：350mW 反向电流(Ir)：100nA@11.2V 阻抗(Zzt)：40Ω
3SMAJ5951BHE3-TP MCC美微科
封装： SMA
描述：稳压值(标称值)：120V 功率：3W 反向电流(Ir)：1μA@91.2V 阻抗(Zzt)：380Ω
1N5935B3P-TP MCC美微科
封装： DO-41
描述：稳压值(标称值)：27V 功率：3W 反向电流(Ir)：1μA@20.6V 阻抗(Zzt)：23Ω
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